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monolithic fabrication processes a historical perspective
germanium 이 최초 반도체 물질이었으나 1960년대 초반 silicon으로 대체.
silicon 이 중요한 물질로 부각된 이유
1.silicon dioxide(sio2)에서 si로 쉽게 산화된다.
* silicon dioxide:-high quality insulator
-excellent barrier layer for
the selective diffusion step
2.단가가 싸다.(자연계에서 쉽게 발견)
3.silicon 이 germanium 보다 밴드갭이 커서 높은 온도에서 조작가능.
microelectronic circuit 기술의 발전 과정 1900년대 : 진공관
-1905 : 2극 진공관 (플레밍)
-1906 : 3극 진공관 (드포레스트)
1940년대 후반-1950년대 초반 : 트랜지스터
-1947 : 바이폴라 트랜지스터 (쇼클리)
-1951 : 전계효과 트랜지스터
-1952 : 단결정 실리콘
-1954 : 산화실리콘 마스크 공정
1950년대 후반 : 주요 집적 기술
-1958 : 실리콘 집적회로(ti사의 kilby) 트랜지스터, 저항, 커패시터를 반도체 조각 위에 올려놓는 것을 제안(monolithic)
1959 : 실리콘 기판위에 트랜지스터와 회로소자를 연결 가능하게 하는 평면 공정 기술(planar process) 성공 ( fairchild semiconductor)
1960년대
-1960 : mos 트랜지스터 제작
-1962 : ttl 논리회로
-1963 : cmos 논리회로
-1968 : 1 transistor dram
1970년대
-1971 : 4 bit microprocessor(4004)
-1976 : 16 bit microprocessor(8086)
1980년대 (이하 생략)
