반도체 제조공정 매뉴얼    반도체 제조 공정도    
반도체 제조공정 (1단계 : 실리콘 웨이퍼 제조공정)
  반도체 제조공정  (1단계 : 실리콘 웨이퍼 제조공정)  실리콘 웨이퍼 제조 공정  단결정 성장 (crystal growing) 절단(shaping)  경면연마 (polishing)  세척과 검사 (cleaning & inspection)    반도체 제조공정  (1단계 : 실리콘 웨이퍼 제조공정)  
1.단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 종자(seed) 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(ingot)을 성장시킨다.
  반도체 제조공정  (1단계 : 실리콘 웨이퍼 제조공정)  
2.절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다.
웨이퍼의 크기는 규소봉의 구경에 따라4”, 6”, 8”, 10”, 12”로 만들어지며, 생산성 향상을 위해 점점 대구경화 경향을 보이고 있다.
  반도체 제조공정  (1단계 : 실리콘 웨이퍼 제조공정)  
3.경면 연마
웨이퍼의 한쪽 면을 연마하여 거울처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 그려 넣게 된다.
  반도체 제조공정  (2단계 :회로설계 및 마스크 제작)  
1.회로설계
cad(computer aided design) 시스템을 사용하여 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.
  반도체 제조공정  (2단계 :회로설계 및 마스크 제작)  
2.mask(reticle)제작
설계된 회로패턴은 레이저 패턴 발생기(laser pattern generator) 또는 전자빔 패턴 발생기(e-beam pattern generator)에 의해 유리판 위에 mask(reticle)로 만들어진다.
    반도체 제조공정  (3단계 : 웨이퍼 가공공정)  
1.oxidation(산화)
고온(xxxx.xx.xx℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학 반응시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막(sio2)를 만드는 공정
  반도체 제조공정  (3단계 : 웨이퍼 가공공정)  
산소와 수증기를 이용한 sio2 의 성장은 각각 건식과 습식
산화로 분류되는데, 건식 산화는 주로 더 우세한 si-sio2계면특성을 가지므로 mosfet에서 게이트 산화막와 같
이 소자구조에서 중요한 절연영역을 형성하는데 사용된
다.
  반도체 제조공정  (3단계 : 웨이퍼 가공공정)  
2.감광막(pr : photo resist)도포
빛에 민감한 물질인 pr를 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킨다.
spinner라는 장치 위에 웨이퍼를 올려놓고 약 3 rpm의 속도로 회전시키면서 pr을 떨어뜨리면 약 1 mm 두께의 막이 형성된다.   (이하 생략)