원판 재단  baking  내층정면  내층  lamination  
■동박표면의 산화막, 이물질 제거 및 dry film 밀착력 향상
■재단후 수분 제거를 위하여  150℃에서 2～4시간 건조  ■표준 작업치수로 원재료를 절단  ■회로 형성을 위해 dry film을 b/d 표면에 밀착  dry film  조도 형성  내층  d/f 노광  내층   d/f 현상  내층  d/f 검사  내층 부식  ■자외선을이용하여 pattern  영상을 b/d표면에 재현  ■빛을 받지 않은 부위의  dry film을 제거  ■dry film의 미현상, 과현상  및 open 및 short를 육안검사  ■전기적 회로를 형성하기 위해  불필요한 동박 제거  etching resist  uv(자외선)  내층  d/f 박리  육안 및  aoi 검사  pre-dip  cleaner  ■내층회로의 open 및 short를   자동화 장비로 검사  pattern  내층 회로 형성  ■pattern 표면에 남은   dry film을 제거  ■copper 표면을 중화하고  oxide 전 활성화 처리   ■b/d표면의 이물질 및 유기물을 제거   반사광  입사광  oxide  ■t/c와 p/p의 밀착력과   내산성 강화를 위한 조도  형성  bonding  ■lay-up을 하기전 내층과  내층을 정합시킴  layer 2,3  prepreg  layer 4,5   prepreg  copper foil  thin core   각 원재료 재단  lay-up  hot press  stack guide 타공  ■표준 규격에 맞춰   t/c, p/p, c/f을   적층함   
-10t al
-kraft paper
-sus
-copper foil : layer 1
-prepreg
-tin core : layer 2,3
layer 4,5  
-prepreg
-copper foil : layer 6
-sus
-kraft paper
-8t al
■적층된 b/d를 가열가압에   의해 다층으로 성형  ■drill가공을 위해 기준점과   방향점을 노출시켜 축 형성  
hole : 3.175Φ
layer 1  layer 2  layer 3  layer 4  layer 5  layer 6  drill 후  stacking  deburring  drill  ■동박표면의 이물질   및 cromate 제거  ■규격에 맞게 hole을  가공  ■작업효율을 높이기 위해 3～4장 stacking  조도 형성   drill bit   sweller  permanganate  neutralizer  conditioner  ■내층에 경화된 에폭시를  부풀려 줌  ■부풀어진 에폭시를  제거함                                            ■b/d에 charge를  부여하고, 표면의   이물질 제거  ■동박표면 및 hole  속을 중화시킴  soft-etch  pre-dip  catalyst  accelerator  ■2가 주석을 4가로 산화시켜  촉매적으로 활성화  ■수분의 유입을 막고  산화막을 제거  ■동박표면에 산화막을  제거하고 조도를 형성  ■비전도 부위에 sn/pd의   균일한 흡착  조도 형성   pd  pd  pd  pd  pd  pd  pd  pd  pd  pd  pd  pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  sn/pd  화 학 동  전 기 동  중화 처리  외층 정면  ■동이온을 금속동으로  환원 전착  ■전기에너지에 의해   동을 b/d에 전착  
화학동도금두께 0.3㎛～0.5㎛
전기동도금두께 20㎛～25㎛  전기 도금층  화학 도금층  base copper  ■동도금 후에 b/d  표면을 산처리 함  ■동박표면의산화막  및 이물질 제거  ■조도 형성  외층   d/f 노광  외층 lamination  외층   d/f 현상  외층   d/f 노광  ■자외선을 이용하여 pattern   영상을 b/d 표면에 재현  ■회로 형성을 위해  dry film을 b/d  표면에 밀착  ■빛을 받지 않은 부위의  dry film을 제거  ■dry film의 미현상,  과현상, open 및  short를 육안 검사  uv(자외선)  외층 부식  외층 d/f 박리  육안 및 aoi 검사  psr 정면  ■전기적 회로를 형성하기  위해 불필요한 동박 제거  pattern  ■pattern 표면에 남은  dry film을 제거  ■외층 회로의 open 및  short를 자동화 장비로  검사  ■b/d 표면의 산화막 및  이물질을 제거  조도 형성 film  입사광  반사광  psr 인쇄  psr 노광  psr 현상  마킹 인쇄  ■b/d표면 보호와 회로  사이의 short 방지  psr ink  ■자외선을 이용하여 pattern   영상을 b/d 표면에 재현  diazo film  m/k ink  ■금도금 및 hal  도금 부위를 노출  ■부품의 실장위치나  기호를 표시  soft-etching  cleaner  pickling  pre-dip  ■ni의 밀착성을 높이기   위해 동표면에 조도 형성  ■동표면의 오염물질 및 산화물 제거  조도 형성  ■catalyst의 수분유입 방지 및 촉매기능  ■산화방지 및   물얼룩을 제거  catalyst  post-dip  무전해 ni 도금  무전해 au 도금  ■pd 및 산화된 동을 제거하고  촉매제와 ni의 gap을 줄임  ■촉매제로써 ni도금의  밀착성을 증가  pd2  pd2  pd2  pd2  pd2  pd2  pd0  pd0  pd0  pd0  pd0  pd0  pd0  ■규격에 맞게  금도금을 함  ■동 및 금과 친화력이  강한 ni을 도금  ni 도금두께  4㎛～7㎛  au 도금두께  
0.03㎛～0.07㎛
cleaner  soft-etching  썰퍼민산  전해 ni 도금  ■ni의 밀착성을 높이기  위해 동표면에 조도 형성  ■동표면의 오염물질 및 산화물 제거  조도 형성  ■동 및 금과 친화력이  강한 ni을 도금  ■동 표면의 이온을  활성화 시킴  ni 도금두께  4㎛～7㎛  전해 au 도금  v-cut  외형 가공  ■b/d를 각 배열 단위로  v-cutting  1/3  1/3  1/3  30ㅇ  pressing  pcb  금형  pressing  ■ press  ■ router  router bit  ■규격에 맞게  금도금을 함  au 도금두께  
0.5㎛이상    (이하 생략)