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다이오드1 보고서

서식번호
TZ-SLE-7399969
등록일자
2024.02.08
분량
5 page
판매가
2,000
파일 포맷
한글(hwp)
조회
267건

등록자

ed*** 브론즈

등급별 혜택보기

다이오드1 보고서 자료입니다

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다이오드보고서보고
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소개글

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저작시기 : 2024년 2월

목차

I. 실험목적과 배경이론
II. 결과 데이터
III. 고찰
IV. 생각해보기

본문내용

01 반도체의 전기적 특성에 대해 설명하라.
반도체는 절연체와 도체 사이 중간 정도의 전기
저항을 갖는다.
순수한 반도체의 전기전도도는 매우 낮지만 도핑
이라고 하는 의도적인 불순물의 첨가로 반도체의 전기적 특성을 변화시켜 전도도를 높일 수 있다.
진성반도체에 3가 원소를 첨가하면 P형 반도체
, 5가 원소를 첨가하면 N형 반도체가
되며 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 다
이오드를 만들 수 있다.
다이오드는 순방향의 전압이 걸릴 때는 일정 전
압 이상이 걸려야 전류가 흐르고
역방향의 전압이 걸릴 때는 전류가 흐르지 않는
다.

02 P형 및 N형 반도체의 차이를 설명하라.
P형 반도체는 진성반도체에 3가 불순물을 첨가
하여 형성할 수 있고
대부분의 전하 캐리어는 정공이며 소수 전하 캐
리어는 전자이다.
N형 반도체는 진성반도체에 5가 불순물을 첨가
하여 형성할 수 있고
대부분의 전하 캐리어는 전자이며 소수 전하 캐
리어는 홀이다.   (이하 생략)

참고문헌

없음

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